死区时间不是你这样看的:你不是有上下管么,你有隔离探头同时测上下管的GS波形,不就可以看出死区时间了么。

从图5可看出波形刷新率越高,死区时间就越短,捕获异常信号的概率就越高;波形刷新率越低,死区时间就越长,捕获异常信号的概率就越小。

如果希望响应的更快,那么可以确定的是最后的控制动作对其并没有影响,这样控制器就会持续发出更大的校正指令给辊轴,直到传感器开始检测到厚度朝着期望的方向改变为止。

我觉得这种做法的最大的问题是把整个Tsw全部作为充放电的时间,对此还是略有些疑惑的。

在ugs 基本保持不变并等于UP 的密勒效应阶段,uds 由I LR ds 升至UDS,ig 仅流过Cdg,门极耗散电荷Qgd可计算如下:

参照图2并由半桥型LLC 变换器的波形对称性可知,在前半开关周期Ths 内,i r 的初值与终值互为相反数,u r 的初值与终值关于U inmax / 2 对称,则:

图3:史密斯预估器可以有效的从回路中移除死区时间,从而使得控制器在控制预计过程变量时就像死区时间根本不存在一样。

鉴于Qg、Qgd 、Qgs、Ugs 和UP 均可由MOSFET 的数据手册得知,则CISS 可计算如下:

胡庆波博士主持的“基于超级电容器的电梯应急救援装置”项目中包含一项实用新型和一项发明专利。其名为“基于超级电容器的电梯应急供电装置”的实用新型专利采用与变频器共母线的拓扑结构,通过对双向直流变换电路和三相逆变电路的控制实现系统应急供电EPS(emergency power supply)功能。另外对超级电容能量管理方案的优化设计,可以实现在电梯正常运行中吸收电梯的发电能量,在电动运行时提供电机部分峰值功率,起到节能效果并能有效降低电网的输入谐波。这项专利为超级电容在电梯应急系统中的应用提供了硬件拓扑方案。

占空比就是输出的PWM中,高电平保持的时间 与 该PWM的时钟周期的时间之比;如,一个PWM的频率是1000Hz,那么它的时钟周期就是1ms,就是1000us,如果高电平出现的时间是200us,那么低电平的时间肯定是800us,那么占空比就是200:1000,也就是说PWM的占空比就是1:5。

再结合图1、2 知,id 在 tc 内需完成对VT1、VT2 输出电容Coss1、Coss2 的充放电。鉴于 t c 与T hs 相比较短,可认为谐振电流 ir 在 tc 内近似不变并用 I r 进行表征。因此,t c 可计算如下:

这是工作原理波形,Q1 Q4是超前管,Q2 Q3是滞后管,UAB是变压器原边电压波形,可以看到那两个尖峰时刻,对应着Q2 Q3关断时刻。

解决死区时间问题的首选方法是从物理上更改工艺,降低死区时间。在上面谈到的辊轧机的例子中,可以通过将测厚仪布置在更靠近辊轴的位置或加快板材的速度。

我正在做移相全桥电路,采用数字控制,DSP发出的带死区时间的PWM波经驱动芯片UCC27424后,再有驱动变压器来驱动全桥电路上下MOS管。

该项发明为超级电容的电梯应急装置提供了软件解决方案,结合实用新型中提到的硬件拓扑,使应急系统同时具备了EPS和ARD功能。保证系统在电网停电及原电控装置出现故障时能平层放人,实现迅速、安全的救援。

2016年11月29-30日,由国家知识产权局专利管理司指导,浙江省知识产权局 ,山东省知识产权局和中国电梯协会联合主办的“安全无止境、专利护航创新”为主题的2016年第二届中国知识产权(电梯产业)创新创业大赛决赛在湖州市南浔区顺利举行。宁波宏大电梯的“基于超级电容器的电梯应急救援装置”的项目在从来自浙江、江苏、福建等省份的17家参赛企业中脱颖而出,荣获三等奖。

死区就是在上半桥关断后,延迟一段时间再打开下半桥或在下半桥关断后,延迟一段时间再打开上半桥,从而避免功率元件烧毁。这段延迟时间就是死区。(就是上、下半桥的元件都是关断的)死区时间控制在通常的低端单片机所配备的PWM中是没有的。死区时间是PWM输出时,为了使H桥或半H桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时导通而设置的一个保护时段,所以在这个时间,上下管都不会有输出,当然会使波形输出中断,死区时间一般只占百分之几的周期。但是PWM波本身占空比小时,空出的部分要比死区还大,所以死区会影响输出的纹波,但应该不是起到决定性作用的。

不过由于C.GE,C.CE,C.GC是变化的,而且电容两端的电压时刻在变化,我们无法完全整理出一条思路来。

第2阶段:栅极电流对Cge和Cgc电容充电,IGBT的开始开启的过程了,集电极电流开始增加,达到最大负载电流电流IC,由于存在二极管的反向恢复电流,因此这个过程与MOS管的过程略有不同,同时栅极电压也达到了米勒平台电压。第3阶段:栅极电流对Cge和Cgc电容充电,这个时候VGE是完全不变的,值得我们注意的是Vce的变化非常快。

你谐振频率太大,在滞后臂管子的电容上反复充放电。你先计算一下你谐振的频率,你的死区时间应该等于四分之一个谐振周期,如果死区时间大于四分之一个谐振周期,那么就会反复震荡,叫过谐振,我前面也说过关于死区时间的取值,死区时间首先要满足要大于MOS管的物理时间,即大于MOS管的下降时间+下降延迟时间+反向恢复时间。

为使LLC 变换器在最恶劣工况下亦能够实现ZVS,死区时间的设定值 t dset 应不小于最恶劣工况下的t dmin,即:

绿色驱动波形和蓝色驱动波形,是上下管的驱动波形,死区时间哪个时候开始算呢?是从一个管子开始下降到另一个管子上升到幅值这段时间吗?

当物料需要从执行器所在的位置输送到传感器读取参数所在的其它位置时,就会产生死区时间。除非物料已经到达传感器,否则无法检测到执行器所做的任何改变。

由图2 所示最恶劣工况下LLC 变换器的稳态运行波形可知,其在前、后半开关周期互为对称,故本文仅对前半开关周期内的运行过程进行分析。将LLC 变换器在前半开关周期  t 0— t 5 内的运行过程分为4个阶段,如图4 所示。

该参数通过在控制器中运行过程模型中的第一个元件(增益和时间常数)来产生,但是没有时间延迟元件。这样死区时间结束后,模型能够精确的预测最终过程变量,这就是史密斯预估器。

你那个波形是上电的时候,不好判断,正常工作的时候波形具体是咋样的?驱动波形上升会有一个小的平台,叫米勒平台。

ZDS2024 Plus与ZDS4054 Plus示波器让您轻松面对异常信号,捕获波形的每个细节,您还在等什么,赶紧试一试吧。

C.GE 栅极-发射极电容C.CE 集电极-发射极电容C.GC 门级-集电极电容(米勒电容)

本文在考虑MOSFET 关断过程的前提下,经理论研究给出了LLC 变换器在最恶劣工况下实现ZVS所需死区时间最小值t dminw 的计算过程,进而结合其与宽调节范围内LLC 变换器实现ZVS 所需的死区时间设定值t dset  间的关系,给出t dset  的选取原则及计算方法。实验结果表明采用该方法算得的t dset 有效且可直接应用于LLC 变换器,无需再调整。此外仅需借助LLC 变换器的输入输出参数、谐振元件参数及对应MOSFET 手册中的测量参数,便可由简单的数学表达式快速求得t dset ,这表明本文提出的t dset 计算方法具有工程实用价值。

第4阶段:栅极电流对Cge和Cgc电容充电,随着Vce缓慢变化成稳态电压,米勒电容也随着电压的减小而增大。Vge仍旧维持在米勒平台上。

死区时间的大小影响着遗漏信号的多少,也决定了捕获异常信号概率的大小,那么如何去计算示波器死区时间的大小呢?本次以ZDS2024 Plus示波器为例,ZDS2024 Plus的波形刷新率为330Kwfm/s,将时基档位调制50ns/div,可以看到异常信号闪现在示波器的屏幕上,如图3所示。

通过解除调节,可以将饱受惯性过调的控制回路恢复到稳定状态,但是如果控制器能够在第一时间意识到死区时间,不必非得解除调节,只需要耐心的去等待稳态的出现即可。这就是Otto Smith于1957年所提出的Smith Predictor控制策略的本质。

反馈控制器利用活塞来改变一对辊轴之间的距离,从而可以将材料挤压成期望的厚度。该过程的死区时间由辊轴和测厚仪之间的距离导致。

当控制板和IGBT控制端子不能直接连接时,考虑用双股绞线(2转/CM小于3CM长)或带状线,同轴线进行连接。栅极保护为了保险起见,可采用TVS等栅极箝位保护电路,考虑放置于靠近IGBT模块的栅极和发射极控制端子附近。耦合干扰与噪声IGBT的开关会使用相互电位改变,PCB板的连线之间彼此不宜太近,过高的dv/dt会由寄生电容产生耦合噪声。要减少器件之间的寄生电容,避免产生耦合噪声。

在该例中,控制器可以比较板材当前的厚度(过程变量,PV)和期望的厚度(设定值,SP),并据之产生输出(CO),但是,它必须等待至少D=S/V秒,以便仪表能够检测到厚度的变化。